GaN y GaNFast New TechnologyLa forma completa de GaN es nitruro de galio, que es un nuevo tipo de material semiconductor. Tiene características tales como banda prohibida grande con alta conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la radiación, resistencia a ácidos y álcalis, alta resistencia y alta dureza, etc.Tamaño más pequeño y peso más ligeroCon los componentes GaN, el cargador puede ser de tamaño pequeño y liviano, y disfrutar de mayores ventajas sobre los cargadores comunes en términos de generación de calor y conversión de eficiencia.Potencia de salida de 65W más alta para una carga más rápidaLa tecnología de carga GaNfast permite que cualquier cargador móvil aumente la velocidad de carga hasta 5 veces mientras mantiene el mismo tamaño de carcasa (carcasa
Cargador de viaje original Xiaomi GaN 65W Blanco Enchufe de EE. UU.
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